I-V 源测量单元 (SMU)

• ± 210 V/100 mA 或 ± 210 V/1 A 模块
• 100 fA 测量分辨率，选配前端放大器达 10 aA
• 10 mHz - 10 Hz 超低频率电容测量
• 四象限操作，支持 2 线或 4 线连接

C-V 多频率电容单元 (CVU)

• AC 阻抗测量 (C-V, C-f, C-t)
• 1 kHz - 10 MHz 频率范围
• ± 30 V (60 V 差分) 内置 DC 偏置源，可扩展至 ± 210 V
• 选配 CVIV 多通道开关，简便切换测量

脉冲式 I-V 及高压脉冲 (PMU/PGU)

• 200 MSa/s，5 ns 采样率 (PMU)
• ±40 V (80 V p-p)，±800 mA
• 瞬态波形捕获模式与任意波形发生器
• 支持多电平脉冲波形，10 ns 可编程分辨率

同步多维度特性分析

全面集成的系统能够同步查看 I-V、C-V 和超快速脉冲式 I-V 特性。这种多维度分析能力对于深入理解半导体器件、材料和工艺特性至关重要，大幅加快了研发和工艺开发速度。

超低频率 C-V 技术

提供独一无二的功能，无需 LCR 仪表或电容模块即可执行超低频率电容电压测量。采用窄带技术，利用集成的 SMU 仪器低电流测量功能，在 10 mHz ~ 10 Hz 范围内执行 C-V 测量，分析材料中的缓慢捕获和脱阱现象。

简便的本地开关选项

提供 4200A-CVIV 多通道开关和 4225-RPM 远程前端放大器/开关模块，在 I-V、C-V 和脉冲 I-V 测量之间自动切换，无需抬起探针或重新布线，保持测试设置一致性，增强测量准确性。

超快速 BTI 测试套件

业内最先进的 NBTI/PBTI 测试平台，包含 4225-PMU 和 4225-RPM。支持单点测试、On-The-Fly (OTF) 或 ID-VG 扫描，能够测量恢复效应及退化效应，满足尖端硅 CMOS 技术的完善测量需求。

强大的 Clarius+ 软件

基于 GUI 的软件提供清楚的、不折不扣的测量和分析功能。包含 450 多种预先定义的应用测试，涵盖全面测试描述、示意图和所需设备信息。Formulator 工具支持自动线拟合和参数提取。

系统配置与诊断 (KCon)

简化了编程和维护全面集成的测试站工作。提供统一界面配置外部仪器、开关矩阵和探针台。系统自检功能可确认 SMU、CVU、脉冲发生器等模块的完整性，配置分析工具生成报告帮助技术支持诊断问题。